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      【測定法】電子顕微鏡観察・分析

      電子顕微鏡観察・分析.jpg

      ◆AES(オージェ電子分光法)
      ◆SEM(走査電子顕微鏡法)
      ◆EBIC(電子線誘起電流法)
      ◆EBSD(電子後方散乱回折法)
      ◆EDX(エネルギー分散型X線分光法)
      ◆EPMA(電子線マイクロ分析法)
      ◆TEM(透過電子顕微鏡法)
      ◆EELS(電子エネルギー損失分光法)
      ◆SIM(走査イオン顕微鏡法)

      • [AES]オージェ電子分光法 製品画像

        [AES]オージェ電子分光法

        試料表面(数nm程度の深さ)の元素の種類・存在量の評価

        AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面(数nm程度の深さ)に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面(深さ数nm)…

      • [SEM]走査電子顕微鏡法 製品画像

        [SEM]走査電子顕微鏡法

        高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

        SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・…

      • [EBIC]電子線誘起電流 製品画像

        [EBIC]電子線誘起電流

        試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手法

        SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで…

      • EBSD分析(電子後方散乱回折法) 製品画像

        EBSD分析(電子後方散乱回折法)

        容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能

        EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。 電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。 EBSP:Electron Backscatter Pattern、SE…

      • [SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM) 製品画像

        [SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM)

        電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法です

        EDXは、電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS:Energy Dispersive X-ray Spectroscopy…

      • [Slice&View]三次元SEM観察法 製品画像

        [Slice&View]三次元SEM観察法

        FIBでの断面出し加工とSEMによる観察を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます

        FIB付き高分解能SEM装置を用い、FIBでの断面出し加工(Slice)とSEMによる観察(View)を細かく繰り返し、取得した像を再構築することで立体的な構造情報を得ることができます。また、SIM(…

      • [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法 製品画像

        [(S)TEM](走査)透過電子顕微鏡法

        ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

        TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等…

      • [TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法 製品画像

        [TEM-EELS]電子エネルギー損失分光法

        電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定することによって、物質の構成元素や電子構造を分析

        EELS分析とは、電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定する手法です。物質の構成元素や電子構造を分析することができます。 TEMに付属している元素分析装置(EDX)と…

      • [ED]電子回折法 製品画像

        [ED]電子回折法

        EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です

        EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。 ・物質の結晶学的情報が得られます。 透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)…

      • [SIM]走査イオン顕微鏡法 製品画像

        [SIM]走査イオン顕微鏡法

        高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能

        ・高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能 ・SEM像に比べてSIM像の方が極表面層の情報が得られる ・金属結晶粒観察が可能(Al, Cu等) ・分解能はSEM像より劣る(SI…

      • [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM) 製品画像

        [TEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(TEM)

        EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。

        EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS: Energy Dispersive X-ray Spectros…

      • 【分析事例】液晶ディスプレイの劣化分析 製品画像

        【分析事例】液晶ディスプレイの劣化分析

        液晶、配向膜、シール材、TFTなどを総合的に評価します。

        液晶表示パネルの劣化メカニズム解明は、パネルの長寿命化にかかせない重要なテーマです。 劣化症状のうち輝度の低下は、液晶、配向膜、シール材、TFTと多岐に渡った要因が考えられます。 表面・構造・組成…

      • 【分析事例】細菌の画像からの細胞周期評価 製品画像

        【分析事例】細菌の画像からの細胞周期評価

        深層学習×データ解析により、多量のデータを活用して試料特性を評価できます

        3種類の乳酸菌を混合させた試料をSEM観察し、得られた画像から深層学習を用いて種類ごとに乳酸菌を抽出しました。さらに、データ解析を行い、乳酸菌の形状をもとに細胞周期上の存在比を求めました。 測定…

      • [TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法 製品画像

        [TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

        TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

        電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM(Aut…

      • 【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価 製品画像

        【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

        製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

        GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、…

      • 分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析 製品画像

        分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

        デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

        パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因…

      • SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析 製品画像

        SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

        SEM像の3D化でリークパスを確認

        裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面…

      • 【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析 製品画像

        【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

        Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能

        裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる…

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