【測定法】電子顕微鏡観察・分析
◆AES(オージェ電子分光法)
◆SEM(走査電子顕微鏡法)
◆EBIC(電子線誘起電流法)
◆EBSD(電子後方散乱回折法)
◆EDX(エネルギー分散型X線分光法)
◆EPMA(電子線マイクロ分析法)
◆TEM(透過電子顕微鏡法)
◆EELS(電子エネルギー損失分光法)
◆SIM(走査イオン顕微鏡法)
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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、…
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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因…
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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析
SEM像の3D化でリークパスを確認
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面…
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