一般財団法人材料科学技術振興財団 MST EBSD分析（電子後方散乱回折法）
- 最終更新日：2016-10-31 12:13:22.0
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EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。
電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。
EBSP：Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれます。
・単一結晶粒の面方位の測定が可能
・測定領域の配向測定が可能
・結晶粒径観察が可能
・双晶粒界（対応粒界）観察が可能
・特定結晶方位の抽出が可能
・隣接結晶粒の回転角の測定が可能
・透過法により10nm以上のグレインを評価可能
基本情報EBSD分析（電子後方散乱回折法）
約60～70°傾斜した試料に電子線を照射すると、試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子線が作られます。この後方散乱電子回折を解析することで結晶性試料の方位解析の情報が得られます。
| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ・CIGS膜（多結晶太陽電池）の結晶粒評価 ・SEM装置で格子歪み測定 ・半導体デバイス金属配線の結晶粒観察 ・ボイド周辺の結晶粒界の調査 ・ポリSi TFTの結晶解析 ・合金層中不明層の結晶性評価 ・断面からのウイスカの配向測定 ・金属材料の成長（成膜）技術における最適条件の探索 ・金属薄膜経時変化の解析 |
詳細情報EBSD分析（電子後方散乱回折法）
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取扱企業EBSD分析（電子後方散乱回折法）
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