ディスク型遠心分離機『CultureOne』

PRより高い回収率で、より高い価値を！生産性向上と高品質を両立する実証済み…

『CultureOne』は、バイオ医薬製造プロセス向けに提供されたシングル ユース仕様ディスク型遠心分離機です。 ヘルメチックデザイン（完全密閉設計）により、培養液を穏やかに 処理できるため、細胞溶解を低減。最大99％の製品回収率を誇る 「CultureOne Primo」は、少量の細胞培養バッチによる回収に適した GMP対応ソリューションです。 また、大量の処理が可能な「Cu...

メーカー・取り扱い企業： アルファ・ラバル株式会社

LNPの製剤開発からGMP製造までをサポートする多彩なツール

PR製剤条件のスクリーニングからスケールアップ、GMP製造までをシームレス…

弊社のLNPツールは、合成から特性解析までにかかる様々な手間と時間を軽減し、製剤化を加速化します。 【LNP合成】 ・Sunシリーズ：処方・製造条件スクリーニングからスケールアップ、GMP対応製造まで、同じポンプとマイクロ流路チップを使用してシームレスに実行・移行可能です。 　・Sunscreen：スクリーニングのために開発された装置。96種類の条件検討を完全自動で実行。 　・Sunshine：...

メーカー・取り扱い企業： Unchained Labs株式会社

【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析

目的に応じた分析条件で測定します

GaN系LED構造のドーパント元素であるMgやSiの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例をご紹介します。 SIMS分析では目的に合わせて最適な分析モードを選択することで、より厳密な評価が可能になりますのでお気軽にご相談ください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-I...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定

ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します

変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極低濃度を評価することが可能です。本資料ではSi...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SRA］広がり抵抗測定法

SRA：Spreading Resistance Analysis

触させ、広がり抵抗を測定する手法です。 SRP（Spreading Resistance Profiling）とも呼ばれます。 ・ 導電型(p型/n型)の判定が可能 ・ 深さ方向のキャリア濃度分布の評価が可能 ・ 濃度約1E12～2E20 /cm3の広範囲のキャリア濃度の分析が可能 ・ 約20μｍ×100μｍ以上の大きさのパターン試料の測定が可能 ・ SRAとSIMSを組み合わせて...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

ある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレンチ間・内部の不...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池の不純物評価

金属元素および大気成分元素の極微量分析

結晶Si太陽電池の基板成長からセル形成までの各工程で必要とされている不純物量制御のための評価法として、高感度分析による元素濃度測定をご提案します。金属元素はppb以下、Hを含む大気成分元素についてはppm以下の濃度まで計測可能です。 測定法：SIMS・ICP-MS・エッチング・解体 製品分野：太陽電池 分析目的：微量...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価

ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

イス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留する金属濃度分布を調査するため、TOF-SIMSを用いて評価を行いました。TOF-SIMSはベベル部近傍のみの金属成分を検出する空間分解能を有しており、濃度既知の標準試料を用いることで濃度を定量的に算出すること...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiO2中のアルカリ金属の深さ方向分布評価

試料冷却による高精度なアルカリ金属の分布評価

SiO2中のアルカリ金属の分布を一般的な分析条件で測定すると、測定に起因する電界などの影響により、深さ方向濃度分布に変化が生じることが知られています。 MSTではSIMS測定時に試料を冷却することでアルカリ金属の濃度分布変化を抑制し、より高精度に濃度分布を評価いたします。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】レスベラトロールの血液中・尿中成分濃度分析

機能性成分の吸収量算出ができます

レスベラトロールは赤ワインやピーナッツの渋皮に含まれるポリフェノールの一種で、抗酸化作用や抗炎症作用があるとされています。 レスベラトロールは摂取後に胃で吸収され、速やかに代謝されることが知られています。代謝の過程でグルクロン酸抱合体や硫酸抱合体になりますが、それら代謝物をレスベラトロールに変換して定量することにより、レスベラトロールの吸収量を算出できます。...詳しいデータはカタログをご覧くだ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】液体中の陰イオン濃度分析

IC：イオンクロマトグラフィー

イオンクロマトグラフ法は液体試料中のイオン成分を検出する手法です。 また、固体（部材）表目に付着しているこれらの成分は、純水に浸して抽出することで測定します。 MSTでは液体試料に含まれるイオンや有機酸の定性・定量分析、部材表面から溶出するイオン量評価、部材の腐食原因調査が可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

血液中PFAS (PFOS/PFOA/PFHxS)の検査サービス

血液中のPFAS濃度を測定する検査サービスを、2024年6月より開始し…

用途で日用品等に用いられてきた一方、残留性と蓄積性による有害性が懸念されています。環境省は2023年7月に一部地域の住民に限っていた血液検査を全国規模に拡大する方針を発表しました。また、欧米では血中濃度の指標値が示されており、2 ng/mL未満であれば健康への影響はないとされています。 MSTの0.5ng/mLという定量下限値はその評価を可能なものとしています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSDP用加工］基板側からの測定用加工

基板側からの測定ができるように基板を削って薄片化

試料表面側にドーパントが高濃度に存在している試料について、試料の表面からと裏面から評価した場合を比較すると、表面からの分析では、高濃度層の影響を受け、深い方向へ広がった分布が得られます。このような場合、基板側から分析することで、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析

SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能

SiCパワーMOS FET（図１）において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST