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試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手…
界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC(Electron Beam Induced Current)と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・pn接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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