ラボ用ポータブル粉砕機『LAB MILL II』　※水洗い可能！

PR錠剤、穀物、薬草類を簡単操作でハイパワー粉砕！容器洗浄可能でコンタミも…

『LAB MILL II』は回転数20,000rpm、出力235Wのハイパワーで錠剤、穀物、薬草類を極めて短時間で細かい粒の揃った試料を作成いたします。 別売オプションのディスポベースをご利用いただくことで、錠剤粉砕等コンタミを避けなければならない試料に対し、 一試料ごとに粉砕容器を変えられるディスポ容器を使用することができ、残留物の心配が減ります。 また、雑菌フリーが要求される試料用に...

メーカー・取り扱い企業： 大阪ケミカル株式会社

大特価キャンペーン！ ゲノミクス研究開発サービスを包括的に提供！

PRNGS、サンガーシーケンシング、プラスミド全長シーケンス解析、人工遺伝…

この度、当社は１０月以降にキャンペーンを開催いたします。 【GENEWIZ ウィンターキャンペーン】 2024年10月1日～2025年3月末までのご注文対象​ RNA-Seq、シーケンシングのみ（解析のみ・Sequencing only）、シングルセル遺伝子発現受託解析など、お得な価格でご提供。 詳細は、１０月１日以降、当社Websiteにてご確認ください。 【キャン...

メーカー・取り扱い企業： アゼンタ株式会社

絶対PL量子収率測定

絶対PL量子収率測定は、材料の発光効率を求める手法です。

絶対PL量子収率測定は、材料に吸収された光（エネルギー）に対し、どのくらいの効率で発光が得られるか、つまり材料の発光効率を求める手法です。 ・分光器付きの励起光源を用いているため、様々な波長（約350...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

太陽電池に禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射するとキャリアが生成し、一部は発光性再結合をします。その際の発光をフォトルミネッセンス（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL（フォトルミネッセンス）マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。 Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL測定例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［PL］フォトルミネッセンス法

PL：PhotoLuminescence

フォトルミネッセンス(PL)とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光のことです。この発光は物質の不純物や欠陥に影響を受けやすいため、発光を分光し詳細に解析をすることによって、物質中の欠陥や不純物の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価

Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

等を照射すると、Siに僅かに含まれる「格子置換型炭素」の一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。 格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。 本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い...

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【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項

PL：フォトルミネッセンス法

・フォトルミネッセンス測定(PL測定) は室温の他に、クライオスタット内に試料を設置し、低温で実施することも可能です。低温測定は室温測定に比べピーク強度の増大やピーク半値幅が減少する傾向が見られるため、様々な準位についての知見を得...

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蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

吸収により、安定なエネルギー状態（基底状態）にあった電子は、一時的に高いエネルギー状態（励起状態）へと遷移します。励起された電子が基底状態に遷移する際に発光が生じることがあり、フォトルミネッセンス（PL)や蛍光・りん光等と呼ばれます。この励起状態から基底状態へ戻る時間は材料や遷移過程にもよりますが、ナノ秒（10-9秒）やマイクロ秒（10-6秒）台など、非常に短い時間となっています。 蛍光寿命...

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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

薄膜試料のバンドギャップはこれまでUV-Vis・PL・XPSなどの分析手法で測定されてきましたが、材料・膜厚・基板などの試料構造の制約から評価可能なケースが限られていました。 今回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

SiC中積層欠陥の検出事例

Cは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。 マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】白色LEDのフォトルミネッセンス分析

白色LED中のチップ、蛍光体の発光特性の確認

の蛍光体（主に黄色）を光らせることにより白色を演出しています。そのため、発光特性の向上や劣化原因の調査においては半導体チップ・蛍光体それぞれの発光特性の確認が必要です。 顕微フォトルミネッセンス（PL）装置は微小な領域を狙っての発光特性を確認することが可能です。...

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【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価・形状評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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