株式会社魁半導体高速成膜装置

ＭＥＭＳ製造の犠牲層・光導波路などへ

無機フィルムの高速製膜装置。デモ実験など承っております。お気軽にご相談下さい。

【特徴】
○ＰＥＮフィルム上に製膜
○製膜速度：～1.5μm/min
○製膜温度：75℃～
○段差被服性：良好
○製膜種：無機合成膜
（SiO２膜の形成も可能）

●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。

価格情報	お気軽にお問い合わせください。
納期	お問い合わせください ※お気軽にお問い合わせください。
用途／実績例	【用途】 ○ＭＥＭＳ製造の犠牲層 ○マスク材として ○ポリカーボネートの保護膜 ●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。