株式会社魁半導体 高速成膜装置

MEMS製造の犠牲層・光導波路などへ

無機フィルムの高速製膜装置。デモ実験など承っております。お気軽にご相談下さい。

基本情報高速成膜装置

【特徴】
○PENフィルム上に製膜
○製膜速度:~1.5μm/min
○製膜温度:75℃~
○段差被服性:良好
○製膜種:無機合成膜
(SiO2膜の形成も可能)

●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。

価格情報 お気軽にお問い合わせください。
納期 お問い合わせください
※お気軽にお問い合わせください。
用途/実績例 【用途】
○MEMS製造の犠牲層
○マスク材として
○ポリカーボネートの保護膜

●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。

取扱企業高速成膜装置

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株式会社魁半導体

・液体ソースを用いた堆積装置、表面改質装置等を含むプラズマを用いた各種半導体製造装置の開発、および製造販売 ・工業用石英ガラスの販売、および加工 ・委託研究による半導体製造装置の開発および製造販売 ・堆積代行、エッチング代行 ・半導体プロセスのコンサルティング業務

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