ＭＥＭＳ製造の犠牲層・光導波路などへ
無機フィルムの高速製膜装置。デモ実験など承っております。お気軽にご相談下さい。
基本情報高速成膜装置
【特徴】
○ＰＥＮフィルム上に製膜
○製膜速度：～1.5μm/min
○製膜温度：75℃～
○段差被服性：良好
○製膜種：無機合成膜
（SiO２膜の形成も可能）
●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。
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| 用途／実績例 | 【用途】 ○ＭＥＭＳ製造の犠牲層 ○マスク材として ○ポリカーボネートの保護膜 ●その他詳細についてはカタログをご覧頂くか、もしくはお問い合わせください。 |
取扱企業高速成膜装置
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