砒素イオン注入深さ分析イオンテクノセンター

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ
砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは
水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190
必要です。

Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。
しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を
2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー：700 [keV]
■ドーズ量：1×1015 [atoms/cm2]

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - http://www.iontc.co.jp/service/analysis.html#resul…

基本情報砒素イオン注入深さ分析

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