株式会社イオンテクノセンター 砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ
砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは
水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190
必要です。

Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。
しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を
2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー :700 [keV]
■ドーズ量 :1×1015 [atoms/cm2]

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報砒素イオン注入深さ分析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格情報 ******
お気軽にお問い合わせください
納期 お問い合わせください
※お気軽にお問い合わせください
用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

カタログ砒素イオン注入深さ分析

取扱企業砒素イオン注入深さ分析

screenshot.16.jpg

株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

砒素イオン注入深さ分析へのお問い合わせ

お問い合わせ内容をご記入ください。

至急度必須
ご要望必須

  • あと文字入力できます。

目的必須
添付資料
お問い合わせ内容

あと文字入力できます。

【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら

イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

株式会社イオンテクノセンター