化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定イオンテクノセンター

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料
表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量
不純物を分析する事ができる装置です。

Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs
を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを
試料として用い、深さ分解能を求めました。
1次イオンビームを最適化したところ、Al0.28Ga0.72As 膜と GaAs 膜の界面での
27Al のプロファイルの傾きから深さ方向分解能を5nmまで高める事が出来ました。

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関連リンク - http://www.iontc.co.jp/service/analysis.html#resul…

基本情報化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

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