日本セミラボ株式会社 水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』
- 最終更新日:2021-05-11 10:47:48.0
- 印刷用ページ
水銀プローブにより電極の形成が不要!R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や
MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。
従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・
ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。
当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに
酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる
素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を
提供します。
【特長】
■水銀プローブにより電極の形成が不要
■抜群の再現性
・ショットキー:0.3%(1σ)/MOS:0.1%(1σ)
■ウェハー面内のマッピング可
■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』
【主な測定・評価項目】
■化膜中の電荷の評価(VFB)
■界面準位測定(Dit)
■エピ層の抵抗率測定(ρ)
■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価(PID)
■ライフタイム測定(τg)
■高/低誘電材料の誘電率測定(ε)
■絶縁膜の信頼性試験(TZDB、TDDB)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格情報 | お気軽にお問い合わせください。 |
---|---|
納期 |
お問い合わせください
※お気軽にお問い合わせください。 |
型番・ブランド名 | MCV-2500 |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』
取扱企業水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』
水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。