日本セミラボ株式会社 トレンチ深さ測定装置 IR2100
- 最終更新日：2020-07-17 08:56:43.0
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。
基本情報トレンチ深さ測定装置 IR2100
広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（多重）反射した光は光学干渉を起こす。干渉波形（インターフェログラム）は検出器にて観察され、これをフーリエ変換し反射率スペクトルを得る。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション（膜材とその構造）に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、測定対象（主に絶縁膜）の膜厚、トレンチ深さ、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス測定などを数秒で同時測定することができる。
| 価格情報 | お気軽にお問い合わせください。 |
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| 納期 |
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| 型番・ブランド名 | IR2100 |
| 用途／実績例 | 特徴 ・膜厚測定スループット: 60 枚/ 1時間 （1パラメータ測定） 5点測定（パターン認識ありの場合） ・光学系: プローブスポットサイズ：200x800 μm または 70 μm φ 使用赤外光波長： 0.9-20 μm （NIRオプションあり） ・ロードポート FOUP, SMIF, or OC; dual ・ミニエンバイロメント Class 1000のクリーンルーム環境でClass 1対応 ・オートメーション GEM 300, SEMI 300mm, SEMI S2-0200, and CE等に準拠 |
取扱企業トレンチ深さ測定装置 IR2100
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