小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。
株式会社新陽の主要製品である『SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)』
のご紹介です。
シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も
3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、
Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。
パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。
半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。
【特長（SiCパワー半導体素子）】
■小さなオン抵抗
■短いスイッチング時間
■高温動作
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基本情報SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)
【物理的特性】
■ポリタイプ：4H-SiC
■結晶構造：六角
■バンドギャップ：～3.2eV
■熱伝導率：～4.9W/cm・K
■電子モビリティ：～1140cm2/v・s
■格子定数：a～3.073Å、c～10.053Å
■モース硬度：～9.15
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カタログSiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)
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