スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減
『高電圧半導体スイッチ』は、高電圧で
高速なパルスを発生させる、電源装置です。
FETを90段直列に接続し、最大90kVのスイッチングを実現しました。
運転周波数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。
また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、
90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。
スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や
冷却システムの製作など、設計・開発から製品化まで行っています。
【アプリケーション】
■核融合装置のジャイロトロン用パルス電源
■EUVレーザーのパルス電源
■医療用X線制御
■加速器のクライストロン用パルス電源
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報電源装置『高電圧半導体スイッチ』
【仕様（一部）】
■最大電圧：90kV
■ピーク電流：10Ap
■運転周波数：DC～5kHz max
■寸法：H1195×W800×D1195 mm
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 核融合装置、加速器、成膜装置 |
カタログ電源装置『高電圧半導体スイッチ』
取扱企業電源装置『高電圧半導体スイッチ』
電源装置『高電圧半導体スイッチ』へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
