株式会社ティ・ディ・シー 研磨技術『SiC ウエハー』
- 最終更新日：2018-04-17 18:15:43.0
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革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現します
電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料
『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。
SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視
されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。
そこで当社では、東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合
研究所のご指導の下、自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コストで
ウエハー品質（粗さ・TTV）を実現することに成功しました。
【特長】
■東北大学多元物質科学研究所と共同研究
■SiCの面粗さ・TTVの高精度化を効率的に実現
■短時間・低コスト
■1個から量産品まで対応
■材料調達から全加工まで対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報研磨技術『SiC ウエハー』
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | 100万円 ~ 500万円 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
取扱企業研磨技術『SiC ウエハー』
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ポリッシュ・ラッピング、研磨・研削、切断などの精密機械加工を得意としております。 各種超精密測定器も社内に保有しており、ナノオーダーの品質保証が可能です。 部品の材料調達、機械加工から仕上げまで一括管理が可能です。
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