株式会社イオンテクノセンターイオン注入シミュレーション

最終更新日：2019-11-16 18:13:11.0
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ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。

お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。
（イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）

関連リンク - https://iontc.co.jp/project/ion/

基本情報イオン注入シミュレーション

イオン注入シミュレーション
・シングルプロファイル
　深さ、濃度から注入条件を計算
・ボックスプロファイル
　多段注入条件の計算

その他のシミュレーション
・熱処理後の拡散
　熱処理前後でのプロファイル計算
・多層構造の計算
　SiO2等の膜厚最適化

ただし、シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。

価格情報	****** 受託加工についてお気軽にお問い合わせください。
納期	お問い合わせください ※※ お気軽にお問い合わせください
用途／実績例	半導体へのイオン注入では国内企業様、大学様に多くご利用頂いております。