東芝デバイス&ストレージ株式会社 SiC ショットキーバリアダイオード
- 最終更新日:2020-12-02 17:30:15.0
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低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード
当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。
当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション
バリア ショットキー)構造を採用。
スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した
650Vの製品を提供しています。
【特長】
■高い逆電圧
■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用
■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を
実現した650Vの製品を提供
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基本情報SiC ショットキーバリアダイオード
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