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東芝デバイス&ストレージ株式会社 SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。

当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション
バリア ショットキー)構造を採用。

スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した
650Vの製品を提供しています。

【特長】
■高い逆電圧
■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用
■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を
 実現した650Vの製品を提供

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報SiC ショットキーバリアダイオード

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価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

カタログSiC ショットキーバリアダイオード

取扱企業SiC ショットキーバリアダイオード

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東芝デバイス&ストレージ株式会社

・ディスクリート半導体事業部 ・システムデバイス事業部 ・ストレージプロダクツ事業部 ・デバイス&ストレージ研究開発センター ・半導体製造装置事業 ・部品材料事業

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