有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜します
『AD-230LP』は、原子レベルの膜厚制御が可能なALD装置です。
有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜。
ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に
優れた成膜が可能です。
また、容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化
しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化します。
【特長】
■上部、中部、底部とコンフォーマルな成膜
■原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能
■高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能
■面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現
■独自の反応室構造により、パーティクルを抑制
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報ロードロック式プラズマALD装置『AD-230LP』
【その他特長】
■熱ALDとカソードCVDによる二層成膜により、優れた特性を持つゲート絶縁膜を形成
■容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化
■ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に優れた成膜が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【応用例】 ■窒化膜(AlN、SiN)の成膜、酸化膜(AlOx、SiO2)の低温成膜 ■電子デバイスのゲート絶縁膜 ■半導体・有機EL等のパッシベーション膜 ■半導体レーザーの反射面 ■MEMSなど3次元構造への成膜 など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
取扱企業ロードロック式プラズマALD装置『AD-230LP』
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