株式会社オジックテクノロジーズ 無電解Agめっき
- 最終更新日:2021-03-16 16:55:32.0
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次世代SiCパワーデバイスに対応可能!優れたパフォーマンスを実現します。
『無電解Agめっき』は、次世代SiCパワーデバイスに対応した
オジックテクノロジーズの技術です。
従来の技術では、高温環境下での動作の不安定さや、デバイスの
高性能化に対応できない問題点があり、SiCパワーデバイスなどに
対応するため、より高度な処理が必要とされていました。
当社の『無電解Agめっき』は、Agナノ粒子での高融点金属接合により、
高温環境での動作が可能となるなど、従来技術の課題を解決できます。
【特長】
■DIG (Direct Immersion Gold)などのAu代替めっきとして
優れたパフォーマンスを実現
■下地(Cuなど)の影響を受けず、酸化せず、長期間品質を維持
■均一な薄膜を形成(0.1~0.5μmt)することで、微細配線パターンや
部分めっきにも対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報無電解Agめっき
【従来技術の問題を解決】
■高温環境下での動作が不安定
■はんだ接合温度の低温化が困難
■二次実装時に耐熱性が必要
■デバイスの高性能化に対応できない
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ無電解Agめっき
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