結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可能！飛行時間型原子散乱表面分析装置【依頼分析賜ります！】
『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および
元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。
本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。
結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。
【特長】
■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される
※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易
■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単
※極薄膜の解析も可能
■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる
■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし
■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※依頼分析も賜っております。
基本情報プローブに原子を採用した表面分析装置（CAICISSの発展版）
【分析種類】
■元素分析
■成長方位判別
■超薄膜評価
■極性判別
■結晶構造評価
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【表面構造評価事例】 ■GaN及びAlN薄膜の結晶構造の判別（ウルツ鉱構造の表裏判別等） ■SCAM(ScAlMgO4)(001)の最表面構造の極点図による評価 ■LSAT(100)の各元素の見え方と入射方位の関係 ■「螺旋構造」を有する結晶(SiO2)の表面原子配列 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログプローブに原子を採用した表面分析装置（CAICISSの発展版）
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