ルミバード・ジャパン株式会社 高デューティー半導体レーザ光源

バーピッチを狭くすることで偏光結合することなく高い輝度を得ています

当製品は、3 msの最大パルス幅で、最大100 kWの出力を生成する
高出力QCW半導体レーザ光源です。

バーピッチを狭くすることで偏光結合することなく高い輝度(4MW/cm2sr)を
得ており、ダイオードはARコーティングが施された窓によって湿気や埃から
保護されてます。

【特長】
■120kW/ライン @ 880nm、940/980nmまで
■1MW 8ラインマトリックアレイ
■波長 808nm、880nm、915nm、940/980nm
■100kWバージョン用ドライバー供給可
■非蒸留水にて10-40℃まで動作可能

※英語カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

基本情報高デューティー半導体レーザ光源

【その他特長】
■バーピッチ 400、800、1.2mm(パルスエネルギーによる)
■寿命保証 10 x109ショット
■3 msの最大パルス幅で、最大100 kWの出力を生成

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納期 お問い合わせください
用途/実績例 ※英語カタログをダウンロードいただけます。
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カタログ高デューティー半導体レーザ光源

取扱企業高デューティー半導体レーザ光源

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ルミバード・ジャパン株式会社

■固体レーザ/半導体レーザ/ファイバーレーザ/ファイバーアンプの現地法人販売および技術サービス会社

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