インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社 MOSFET『650V CoolMOS CFD7』
- 最終更新日:2024-04-03 11:41:57.0
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パワー密度の向上が可能!ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の
共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。
スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ
(ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。
産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、
また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。
【特長】
■転流本格使用に備えた優れた堅牢性
■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加
■パワー密度の向上が可能
■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率
■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報MOSFET『650V CoolMOS CFD7』
【その他の特長】
■超高速ボディダイオード&超低Qrr
■絶縁破壊電圧650V
■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
■著しく低減されたスイッチング損失
■RDS(on)の温度依存性が低い
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【対象アプリケーション】 ■高速EV充電 ■サーバー電源 ■太陽光発電システム向けソリューション ■通信インフラ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログMOSFET『650V CoolMOS CFD7』
取扱企業MOSFET『650V CoolMOS CFD7』
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