株式会社東レリサーチセンター 技術情報誌 202305-01 水銀プローブによるSiO2膜評価

基本情報技術情報誌 202305-01 水銀プローブによるSiO2膜評価

技術情報誌The TRC News「水銀プローブによるSiO2膜の電気特性評価および電気特性と膜質の相関解析」
【要旨】
水銀プローブ（Hg-Probe）および各種物理分析手法を用いて、Si基板上に異なる方法で成膜したSiO2膜の電気特性と膜質との関係を詳細に調べた。熱酸化SiO2膜と比べて、化学気相蒸着法（CVD）で成膜したSiO2膜は水分や水酸基含有量が高く、SiO2ネットワーク構造の秩序性が低いことをRBS、XPS、FT-IR、SIMSにより明らかにした。Hg-Probeを用いたC-V測定結果から、プラズマCVD成膜のSiO2膜では正の電荷密度が高く、オゾンCVDでは可動電荷密度が高い特徴を有し、加えて、水分含有量と比誘電率には相関関係があることが確認された。I-V測定では、水分含有量の高いオゾンCVD成膜のSiO2膜のリーク電流が顕著であることも示された。また、ウェットエッチングを併用したC-V測定より、プラズマCVDで成膜したSiO2膜は界面付近で電荷分布に拡がりがあることを確認した。
【目次】
１. はじめに
２. 実験
３. 結果と考察
４. まとめ

図1～9にデータ示す

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