日本セミラボ株式会社 結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
- 最終更新日：2020-07-17 08:56:06.0
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。
基本情報結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。
様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。
| 価格情報 | - |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | SIRM300 |
| 用途／実績例 | - 非破壊なのでサンプルを無駄にしません - ウェハー裏面の状態を問いません - 高ドープウェハーの測定が可能です (epiの場合: 3mΩcm) - パーティクル検出限界: 20nm - 300mmまでのウェハー測定可能 - 自動ウェハー搬送(エッジグリップハンドリング) - レーザーマーキングオプション |
取扱企業結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
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