インライン成分分析セミナー無料ご招待【6/19・20開催】

PRなぜ、インライン分析がいま重要なのか？人手不足や労働時間規制に対応する…

無料オンラインセミナーのご招待です。 フォスのインライン成分分析装置について深掘りし、 製造プロセスの最適化と生産性の向上にどのように寄与するかをご紹介。 技術トレンドや、各業界でお使い頂けるアプリケーションを中心とした活用事例や応用例も紹介し、 人手不足や労働時間規制に対応するための製造プロセス改善のヒントを得られます。 乳業や食肉、飼料、穀物分野などの担当者の方に特におススメのセ...

メーカー・取り扱い企業： フォス･ジャパン株式会社

ハンディタイプ高精度デジタル温度計 Model: CTP1500

PR小型軽量のハンディタイプ温度計。高精度±0.05℃。単三乾電池駆動。校…

◆製品概要 CTP1500はハンディタイプの温度計としてコンパクトながらも優れた精度を持ち、様々な用途や場所での測定が可能です。- 20 ... +180 °Cの範囲で±0.05 °Cの精度を達成しています。この高い精度により、バイオテクノロジーや医薬、食品業界など様々な産業における基準温度計としても活用することが可能です。 ◆製品特徴 CTP1500は小型軽量であるため、簡単に持ち運びをするこ...

メーカー・取り扱い企業： ビカ・ジャパン株式会社

【分析事例】酸化チタンアナターゼ型とルチル型の判別

TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です

電子材料・触媒材料・紫外線吸収剤・光触媒などに用いられる酸化チタン（TiO2）には組成が同じで結晶構造の異なるアナターゼ型とルチル型が存在します。Si基板上に成膜した厚さ20nmの多結晶TiO2試料（写真1）について電子線プローブを約1nmΦ(FWHM)まで絞って測定を行いました。試料から取得したEELSスペクトルは、Ti, Oともにアナターゼ型TiO2の標準スペクトルと一致しています（図1, 2...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン電池の高分解能X線CT観察

非破壊で電池内部の層構造・異常箇所を確認できます

リチウムイオンポリマー電池は、モバイルバッテリーや電子機器などの身近な製品に幅広く利用されています。 本資料では、ラミネート型のリチウムイオンポリマー電池をX線CTで分析した事例を紹介します。X線CTを用いることで、20mmx40mmの電池を破壊せずに内部構造を観察し、数μmの異物や空隙の有無・位置を確認することが可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...詳...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

配線材料として用いられる銅（Cu）は空気中で酸化膜を生じますが、保管環境の違いによる膜厚の差を評価した事例をご紹介します。アルミホイルで包んだ銅（Cu）と、ビニール袋に入れた銅（Cu）をそれぞれ40日間保管し、TOF-SIMSにて酸化膜厚の測定を行いました。また、約20日間にわたる継続した調査により、再現性が得られていることを確認しました。 TOF-SIMSは酸化物や金属など無機物の深さ方向分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】カプセル剤タイプ薬の組成分布評価

全体像から局所分布までイメージング評価可能

TOF-SIMSでは、μm～cmオーダーまで様々な大きさの試料について質量イメージング分析が可能です。 カプセル剤タイプ薬の断面についてTOF-SIMSによる質量イメージング分析を行いました。断面加工を行い、薬剤全体（約7mm×20mm）とその内部の顆粒一粒（約500μmΦ）に着目したイメージング事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST