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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
rench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて定量的に評価した例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法:XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野:パワーデバイス・照明 分析目的:微量濃度評価・構造評価・形状評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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