非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質量分析等の破壊を伴う分析手法を主として受託サービスを展開しておりましたが、電子デバイスを破壊せず観察したいという顧客ニーズが近年増加しておりました。また、電子デバイス以外の分野においても、医薬品・医療機器部品の形状確認、食品内部に含まれる構成原料の分布観...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にて...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのト...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST