一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-02-15 14:07:21.0
【分析事例】600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察
基本情報【分析事例】600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
分析の事例をご紹介します
【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察
高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。
本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察
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