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最終更新日:2019/05/09

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酸素リークによる深さ分析

基本情報酸素リークによる深さ分析

IMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介。

材料開発には不純物分析が重要ですが,高感度で分析できる二次イオン質量
分析(SIMS)が好適です。

ここでは SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを
3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。
特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている
ことがわかります。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

酸素リークによる深さ分析

酸素リークによる深さ分析 製品画像

材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量
分析(SIMS)が好適です。

ここでは SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを
3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。
特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている
ことがわかります。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 (詳細を見る

取扱会社 酸素リークによる深さ分析

株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

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