SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介。

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを
BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると
電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム
照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで
正確な測定が行えるようになりました。

アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して
いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015
[atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。