一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-08-25 14:24:02.0
【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価
基本情報【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価
SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定
分析の事例をご紹介します
【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価
基板側からSIMS分析(SSDP-SIMS)を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極(BドープPoly-Si)から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹凸のあるシリサイド直下の評価にSSDP-SIMSが有効です。 (詳細を見る)
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