一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2016-03-10 09:34:06.0
【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査
基本情報【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査
イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能
分析の事例をご紹介します
【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査
NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B,Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。
また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドーパントの濃度分布を評価することができます(図2)。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査
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