カタログ発行日：2023/04/04

【分析事例】SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価_C0291

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基本情報【分析事例】SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価_C0291

活性層の形状とドーパントを評価

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。
SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しました。
測定法：SIMS・SCM・TEM
製品分野：パワーデバイス
分析目的：微量濃度評価・形状評価・製品調査

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一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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