一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2017-08-11 14:30:05.0
【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価
基本情報【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価
断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能
分析の事例をご紹介します
【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価
窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。
本資料では、c面上に形成したGaN基板(c-GaN基板)上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。 (詳細を見る)
取扱会社 【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価
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