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最終更新日:2017-08-11 14:32:30.0

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【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

基本情報【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

TDS:昇温脱離ガス分析法

分析の事例をご紹介します

【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

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Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。
100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。
一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2(H2)、m/z 18(H2O)、m/z 27(C2H3:有機物のフラグメント成分)が脱離しているのが分かります。高真空下(1E-7Pa)で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。 (詳細を見る

取扱会社 【分析事例】TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

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