一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日：2023-04-12 16:50:36.0
【分析事例】微小ビアのイメージ分析_C0454
基本情報【分析事例】微小ビアのイメージ分析_C0454
微小領域の分布評価が可能です
回路の微細化にともない微小化する層間接続ビアの設計開発では、充填の良好性を把握することが求められます。TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、出来ばえ評価に有効な手段です。
本資料では、Si基材に設けられた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充填したサンプルを分析した事例を示します。正イオン分析結果より、CuおよびSiの分布が確認できました。
【分析事例】微小ビアのイメージ分析
回路の微細化にともない微小化する層間接続ビアの設計開発では、充填の良好性を把握することが求められます。TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、出来ばえ評価に有効な手段です。
本資料では、Si基材に設けられた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充填したサンプルを分析した事例を示します。正イオン分析結果より、CuおよびSiの分布が確認できました。
測定法：TOF-SIMS
製品分野：LSI・メモリ・電子部品
分析目的：組成分布評価・故障解析・不良解析
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取扱会社 【分析事例】微小ビアのイメージ分析_C0454
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