研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現します

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料
『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。

SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視
されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。

そこで当社では、東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合
研究所のご指導の下、自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コストで
ウエハー品質（粗さ・TTV）を実現することに成功しました。

【特長】
■東北大学多元物質科学研究所と共同研究
■SiCの面粗さ・TTVの高精度化を効率的に実現
■短時間・低コスト
■1個から量産品まで対応
■材料調達から全加工まで対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。