カタログ発行日：2021/4/22

【分析事例】GaNの部分状態密度測定_C0511

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基本情報【分析事例】GaNの部分状態密度測定_C0511

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光（SXES）は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度（pDOS）を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、(1)バルクの情報が得られる(2)絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能(3)検出下限が低い（＜1atomic%）などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評価に有効です。本資料では測定例としてGaN基板のSXESスペクトルをご紹介します。

取扱会社【分析事例】GaNの部分状態密度測定_C0511

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