一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2022-05-09 13:41:40.0
【分析事例】SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価_C0556
基本情報【分析事例】SMMおよびSNDMによるSiC Trench MOSFETの拡散層評価_C0556
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。※参考資料:C0554, C0555
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