一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
最終更新日:2019-04-24 09:58:31.0
【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
基本情報【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
分析の事例をご紹介します
【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造モデルから状態密度を計算し、ドーピングによる電子状態の変化を調査しました。 (詳細を見る)
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