バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』

良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！

『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら
スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式
バイアススパッタリング装置です。

ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた
良好な絶縁膜形成ができます。

【特長】
■低いピンホール密度
■良好なステップカバレージ性
■次の電極層に有利な平坦性
　・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム
　・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可
　・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能）

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。