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最終更新日:2022-09-09 09:59:56.0

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  • カタログ発行日:2022/8/23

FIBによるめっき層内の異常個所発見方法

基本情報FIBによるめっき層内の異常個所発見方法

FIB装置でめっき層内の表面からでは分からない異常個所を発見します

FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)装置では自動で断面を連続で作製し、断面写真を取得することが可能です。この機能を用いて、表面からでは判別が難しい試料内部に存在する異常個所を特定することが可能です。

この事例では
「FIB装置の連続自動断面作製機能を用いて、めっき層内の表面からでは分からない異常個所の発見方法」
を紹介します。

ぜひPDF資料をご一読ください。

また、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。
具体的には以下のとおり
・配線の切断
・配線の接続
・特性評価用のテストパッドの作製
等を短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいています。
お気軽にご相談いただければ幸いです。
セイコーフューチャークリエーション 公式HP
https://www.seiko-sfc.co.jp/

※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。

取扱会社 FIBによるめっき層内の異常個所発見方法

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各種、分析・試験の受託 (機器分析、集束イオンビーム加工、環境分析、材料試験、技術コンサルティング(材料・熱処理・表面処理 等)) 必要な情報やお困りごと等ありましたらぜひご連絡ください。 E-Mail:sfc-tr1@seiko-sfc.co.jp

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