FIBによるSi基板へのパターン描画

FIB装置でSi基板上にパターン描画を行えます

FIB(Focused Ion Beam：集束イオンビーム)装置ではマスクレスで任意形状のパターン描画を行うことが可能です。
・エッチングによるパターン描画では、1ドットあたり0.1μm程度の大きさで描画が可能です。（加工を行う材質、加工条件により最小サイズは変わります）
・ マスクレスでイオン注入を行うことが可能です。
・ デポジションによるパターン描画も可能です。

この事例では
「FIB装置によるSi基板上へのパターン描画」
を紹介します。

ぜひPDF資料をご一読ください。

また、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。
具体的には以下のとおり
・配線の切断
・配線の接続
・特性評価用のテストパッドの作製
等を短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいています。
お気軽にご相談いただければ幸いです。

※詳細が必要であればお気軽にお問い合わせ下さい。
セイコーフューチャークリエーション 公式HP
https://www.seiko-sfc.co.jp/