FIBによる微小対象物(ICコンタクト部)の断面作製

FIBで微小対象物(例：ICコンタクト部)の任意の箇所に断面を作製可能です

弊社保有のFIBFIB(Focused Ion Beam：集束イオンビーム)装置では、0.1μm程度の対象物であれば、狙って断面を作製することが可能です。

この技術を用いて、正確な位置でのTEM観察用薄片試料の作製が行えます。

この事例では
「FIB装置によるICコンタクト部の断面作成・断面観察」
を紹介します。

ぜひPDF資料をご一読ください。

また、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。
具体的には以下のとおり
・配線の切断
・配線の接続
・特性評価用のテストパッドの作製
等を短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいています。

その他、FIBの関連技術として
『FIBによるめっき層内の異常個所発見方法』
の事例があります。

FIB装置のご活用についてお気軽にご相談いただければ幸いです。

※詳細が必要であればお気軽にお問い合わせ下さい。
セイコーフューチャークリエーション 公式HP
https://www.seiko-sfc.co.jp/