半導体製造プロセスの微量分析に貢献する イオンクロマトグラフィーメソッド

微量イオン、遷移金属の測定などプロセス汚染を迅速に特定　高い分離性能、確立された手法による高品質な分析結果

半導体製造プロセスや完成したデバイスにとって、イオン汚染は腐食、浸食、短絡の原因となる恐れがあるため、大きな懸念です。
イオンクロマトグラフィー（IC）は、半導体業界におけるさまざまなプロセス汚染物質の微量成分と、主要成分を迅速に測定できる効率
的な分析手法です。当社のイオンクロマトグラフィーシステムがどのように活用できるかをご紹介いたします。
※詳細はPDFをご覧いただくかお気軽にお問い合わせください。