ウェーブクレスト株式会社
最終更新日：2023-08-22 14:46:39.0
RFバイアスティー TBBT01ｖ1.0
基本情報RFバイアスティー TBBT01
パワー インダクタの飽和効果とコンデンサに対するバイアス電圧の効果を測定するデバイス
【主な仕様】
● 使用周波数範囲：5kHz～1.2GHz
● RF パス挿入損失: <1 dB typ. 10 kHz – 1 GHの範囲で、5 kHz – 1.2 GHzの範囲で< 1.5 dB
● VSWR: 5 kHz ～ 1 GHz の範囲で 1 < VSWR < 2
● 特性周波数範囲: 1 kHz ～ 3 GHz
● RF 電力処理: 50 W (5 kHz ～ 1 GHz)
● RF-コネクタ: N-メス
● 動作電圧範囲: 最大±100V
● 動作電流範囲: ± 5A ～ 10 A DC、加熱特性プロットを参照、連続 ± 5A DC、最大 ±15A DC
● DC パス抵抗: < 1.5 Ω @ 22°C
● DC入力ソケット: Phoenix Contact 1998933、オス
● 相手側メス端子：フエニックスコンタクト 1967375
● 寸法: 150 mm x 155 mm x 330 mm。
● 重量: 3kg
高電流バイアスティー RFバイアスティー TBBT01
TBBT01 Bias-Tee は、パワー インダクタの飽和効果とコンデンサに対するバイアス電圧の効果を測定するデバイスです。パワー インダクタ テスト用に入手可能なバイアス ティーのほとんどは低周波数で動作するため、RF パワー アンプや EMC フィルタのデカップリング/バイアス インダクタの評価には適していません。ただし、RF バイアス ティーは通常、電流能力が制限されており、より低い周波数領域では使用できません。TBBT01 は、大電流だけでなく高帯域幅も測定できます。
パワーインダクタにはフェライトコアが使用されていることが多いため、磁気飽和の影響を受けます。インダクタのデータシートに指定されている磁気飽和電流に達する前であっても、インダクタンスは減少し始め、コンポーネントの RF 特性は劣化します。
EMC フィルタを構築する際に DC 電流の影響が過小評価されることが多く、フィルタが計画どおりに機能しません。負荷条件下での EMC フィルタの周波数応答を評価するには、電流注入用の高電流バイアス ティーが必要です。
高電流バイアス ティーは、幅広い追加アプリケーションに使用できます。 （詳細を見る）
取扱会社 RFバイアスティー TBBT01
・電磁界測定器、電磁界暴露モニター、各種電磁界プローブ、EMC測定用アンテナなどの販売 ・マイクロ波、ミリ波用ハンドヘルドスペアナ、強電界＆ミリ波帯対応光電界プローブ、アンテナなどの販売 ・電磁波シールドテント、EMCプリコンプライアンス測定用ソフトウェア、疑似電源回路網（LISN）、TEMCellなどEMC関連試験装置の販売、及びコンサルティング ・モータ＆コイル試験用インパルス巻線試験機の販売 ・二酸化炭素モニター、ダストモニターなど各種IoT環境機器の販売 ・オシロスコープ、スペクトラムアナライザ、信号発生器、電源などの汎用計測器機器の販売
RFバイアスティー TBBT01へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
