東北大学技術：相変化材料および相変化型メモリ素子：T09-087

近年、携帯電話等のモバイル型電子機器の急速な市場拡大に伴い、Ｆｌａｓｈメモリに代わる次世代不揮発性メモリとして磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）、相変化メモリ（ＰＣＲＡＭ）などが盛んに研究開発されている。その中で相変化メモリ（ＰＣＲＡＭ）のメモリセルは単純構造を有し、コスト、集積度の面において他のメモリに比べ優れているため注目を浴び研究が盛んである。現在、不揮発性メモリには、デバイスの高性能化に伴い、熱的安定性が強く求められており、例えば２０１１年以降は、ＰＣＲＡＭデバイスの作動保証温度耐性は、１２５℃で１０年である。本発明は、相変化メモリに用いるための相変化材料に関するものであり、高い結晶化温度とアモルファス相が結晶化する際の高い活性化エネルギを持つことにより熱的安定性が良好である事、また、アモルファスと結晶相の電気抵抗比102以上持つ。 （詳細を見る）