東北大学技術：光スピンデバイス：T20-546

現在、情報化社会の発展に伴い、メモリの記録密度のさらなる向上が求められている。情報を長時間にわたり不揮発的に記録できる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)は、半導体メモリに代わる次世代メモリとしての応用が期待されている。しかし、電力消費、動作速度、信号遅延などの面で、半導体メモリより劣っている上、光情報技術との親和性が低いという課題がある。
本発明によって情報を不揮発的に保持でき、かつ低い消費電力で高速動作が可能な光スピンデバイスと、これを用いた情報保持装置を提供することが可能になった。本発明の光スピンデバイスは、磁性材料層とスピン欠陥層とを有していることを特徴としている。本発明は、磁気情報を不揮発的に保持でき、かつ低い消費電力で高速動作が可能である。また、本発明の光スピンデバイスを用いた情報保持装置は、高速かつ高感度の情報の書き込みと読み出しが可能であり、今後急速な発展が見込まれる光情報技術との親和性も高い。 （詳細を見る）