カタログ発行日：2023/11/30

【分析事例】ノーマリーオフ型 GaN HEMT 二次元電子ガス層評価_C0702

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基本情報【分析事例】ノーマリーオフ型 GaN HEMT 二次元電子ガス層評価_C0702

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GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。
本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。
分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。

取扱会社【分析事例】ノーマリーオフ型 GaN HEMT 二次元電子ガス層評価_C0702

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

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