OptiMOS パワーMOSFET 25 V～100 V PQFN 3.3×3.3 パッケージ

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。

PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、
25Vから100Vまで。

ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、
デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。

【特長】
■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減
■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善
■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供
■最適化された新しいレイアウトの可能性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）