技術情報誌 The TRC News「Ga2O3膜の分析評価技術」

【要旨】
SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。
【目次】
１．はじめに
２．試料
３．分析結果
４．まとめ
【図表】
図１　Ga2O3の結晶構造
図２　試料面法線方向および面内方向のX線回折スペクトル
図３　ラマンスペクトル
図４　Sn 0.1%狙い試料の表面SEM像および断面TEM像
図５　Sn 0.1%狙い試料の制限視野電子回折パターン
図６　Sn濃度のSIMS分析結果
図７　sMIM-C信号プロファイル
図８　CLスペクトル（加速電圧3kV）